UMD6N是一款双数字晶体管（NPN+PNP）产品，采用SOT-363封装。该产品具有独立晶体元件，减少干扰，降低安装成本和面积。主要参数包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗等。电气特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、直流电流转移比、输入电阻、转换频率等。此外，还提供了SOT-363封装的轮廓尺寸和推荐焊盘布局图。

SXSEMI - Technical Documentation Part# :UMD6N

MSQA6V1W5T2G,SZMSQA6V1W5T2G ESD Protection Diode Array Low Clamping Voltage

ONSEMI - Technical Documentation - Rev. 8 - October, 2017 Part# :SZMSQA6V1W5T2G,MSQA6V1W5T2G

UMy1N双晶体管（PNP+NPN）

该资料介绍了UMY1N双晶体管（PNP+NPN）的产品特性。产品包含2SA1037AK和2SC2412K晶体管，采用SOT-353封装。特性包括PNP和NPN晶体管具有共同的发射极，可降低安装成本和面积。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性以及SOT-353封装的尺寸和布局信息。

SXSEMI - Technical Documentation Part# :UMY1N

S8050晶体管（NPN）

S8050是一款NPN型晶体管，具有SOT-23封装。该晶体管与S8550互补，具有0.5A的集电极电流。资料中详细列出了S8050的最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸。包括集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极的击穿电压，集电极截止电流，直流电流增益，饱和电压等参数。此外，还提供了S8050的典型特性曲线和SOT-23封装的轮廓尺寸。

SXSEMI - Technical Documentation Part# :S8050

A92晶体管（PNP）

本资料详细介绍了A92型号PNP型晶体管的技术规格和应用。包括其低饱和电压、高击穿电压等特性，最大额定值如集电极-基极电压、集电极-发射极电压等，以及电气特性如集电极电流、直流电流增益等。此外，还提供了典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘布局图。

SXSEMI - Technical Documentation Part# :A92

SRV05-4 ESD Protection Diode Array Low Clamping Voltage

ONSEMI - Datasheet - Rev. 3 - 2020/9/29 Part# :SRV05−4MR6T1G,SRV05−4MR6

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FW0524LCA Ultra Low Clamping Voltage TVS Array

FUTUREWAFER - Datasheet - Version B - 15-Apr-2019 Part# :0524F,FW0524LCA

ESD Protection Diode Low Clamping Voltage

ONSEMI - Datasheet - October, 2017 Part# :SZNUP4114UCLW1T2G,NUP4114 SERIES,NUP4114UCW1T2G,NUP4114UPXV6T1G,NUP4114UCLW1T2G,NUP4114,NUP4114HMR6T1G,SZNUP4114HMR6T1G

ESDBL0821Z-HAF Low Clamping Voltage TVS Diode in a Thin 0201 Chip Scale Package

SXSEMI - Datasheet - 2015/10/26 Part# :ESDBL0821Z-HAF

XESD2FH5VC Transient Voltage Suppressors

SXSEMI - Datasheet - Rev.C - 2014/9/23 Part# :XESD2FH5VC,XESD2FH5A9

SRV05-4 ESD Protection Diode Array Low Clamping Voltage DATASHEET

ONSEMI - Datasheet - Rev. 3 - November, 2017 Part# :SRV05−4MR6T1G,SRV05-4

NUP4202W1 ESD Protection Diode, Low Clamping Voltage DATASHEET

ONSEMI - Datasheet - Rev. 4 - October, 2017 Part# :NUP4202W1,NUP4202W1T2G

Product Overview NZQA6V8A: ESD Protection Diode with Low Clamping Voltage

ONSEMI - Supplier and Product Introduction - 11/20/2017 Part# :NZQA6V8AXV5T1G,NZQA6V8A,NZQA6V8AXV5T3G,NZQA6V8AXV5T2G

确定脉冲电流范围的箝位电压电平应用说明

本文介绍了如何根据硅瞬态电压抑制器（TVS）的数据表参数，计算在击穿电压（VBR）和最大钳位电压（Vmax）之间的中间电压值。文章提供了一个计算公式，并基于SMCJ15A TVS的测试数据，展示了公式的应用和保守性。此外，文章还讨论了如何通过线性关系确定更大的电流额定值，以满足低于正常值的电压需求。

MICROSEMI - Application note & Design Guide - Revision B - 2019/04/23 Part# :SMCJ15A